氢化微晶硅薄膜制备过程中氧污染问题的初步研究
本文对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积的氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)中的氧污染问题进行了比较研究.通过等离子体辉光的光发射谱(OES)测量,监测了不同沉积条件下的氧污染程度.X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明:μc-Si:H薄膜中,氧以Si-O、O-O以及O-H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机制.μc-Si:H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc-Si:H薄膜的结构特性与电学特性产生显著的影响;氧污染对于μc-Si:H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.
氢化微晶硅薄膜 化学气相沉积 光发射谱 氧污染 薄膜制备
杨恢东 五邑大学薄膜与纳米材料研究所(广东江门) 吴春亚 赵颖 麦耀华 郭晓丹 薛俊明 任慧志 耿新华 熊绍珍
南开大学光电所(天津)
国内会议
杭州
中文
165-168
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）