热壁外延生长GaAs/导电玻璃薄膜

摘要：

本文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件;源温为900~930℃,衬底温度为500℃.

关键词： GaAs/导电玻璃 太阳电池 薄膜材料 CaAs薄膜 热壁外延生长 薄膜制备

作者: 涂洁磊 陈庭金 章晨静 吴长树 施兆顺

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所(昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 16-20

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）