氢等离子体处理法晶化a-Si:H薄膜的FT-IR谱和Raman谱的研究

摘要：

利用氢等离子体处理晶化a-Si:H薄膜,对晶化后的样品进行X射线衍谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)和Raman散射谱的测试,讨论和比较了薄膜的Raman谱和FT-IR谱中Si-H键合模式随射频功率、退火温度和退火时间的变化情况.

关键词： FT-IR谱 Raman谱 Si-H键合模式 多晶硅薄膜 氢等离子体处理法

作者: 陈城钊 林璇英 余云鹏 余楚迎

作者单位: 广东潮州韩山师范学院物理系(广东潮州) 广东汕头大学物理系(广东汕头)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 161-164

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）