外延晶体硅薄膜电池的EBIC与SR-LBIC特性分析

摘要：

电子束诱导电流(EBIC:Electron Beam Induced Curreng)是研究晶体缺陷(如晶界、位错、沉淀等)复合特性的一种有力工具.本文以对颗粒硅带为衬底的晶体硅薄电池表面及电池截面的晶体缺陷、特别是对晶界的复合行为进行了研究.电池表面EBIC照片表明复合中心位于晶界处,在小颗粒集中区域复合越强.截面EBIC结果表明在颗粒晶界处分别有着强弱复合,与晶界处强的复合行为相比,颗粒内部没有或仅有比较弱的复合行为发生.靠近电池表面处的颗粒晶界和颗粒内部复合行为由于H钝化得到减弱,少数载流子扩散长度随深度的增加而降低.光谱决定的光束诱导电流(SR-LBIC)表明扩散长度在整个电池表面是不均匀的,最大扩散长度与外延层厚度相当.

关键词： 电子束诱导电流 晶体硅薄膜电池 晶体缺陷 光束诱导电流

作者: 梁宗存 沈辉 许宁生 S.Reber

作者单位: 中国科学院广州能源研究所(广州),中山大学物理系(广州) 中山大学物理系(广州) Fraunhofer Institute for Solar Energy System,Freiburg 79110,Germany

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 155-160

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）