多晶硅薄膜的制备与表征
以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等测试手段对薄膜的形貌结构及成分进行分析.
多晶硅薄膜 化学气相沉积 颗粒硅带 外延生长 薄膜制备 形貌结构
胡芸菲 沈辉 梁宗存 刘正义
华南理工大学材料科学与工程学院(广州),中国科学院广州能源研究所(广州) 中国科学院广州能源研究所(广州),华南理工大学材料科学与工程学院(广州) 中国科学院广州能源研究所(广州) 华南理工大学机械工程学院(广州)
国内会议
杭州
中文
147-150
2002-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)