低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池

摘要：

以RTCVD方法在低成本衬底—颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm<”2>上得到的最高转换效率为7.4﹪,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm<”2>,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I<,02>和片并联阻R<,p>.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.

关键词： 颗粒硅带 化学气相沉积 晶体硅薄膜 薄膜电池 制备工艺

作者: 梁宗存 中山大学物理系(广州) 沈辉 中山大学物理系(广州) 胡芸菲 许宁生

作者单位: 中国科学院广州能源研究所(广州) 中山大学物理系(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 141-146

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）