VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜

摘要：

采用光发射谱(OES)技术,对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH<”*>和H<”*>的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论.通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si:H薄膜的结构特征与表面形貌.基于我们当前的沉积系统,对μc-Si:H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc-Si:H薄膜沉积的沉积速率提高到2.0nm/s.

关键词： 光发射谱 氢化微晶硅薄膜 化学气相沉积 薄膜结构 沉积速率

作者: 杨恢东 五邑大学薄膜与纳米材料研究所(广东江门) 吴春亚 赵颖 麦耀华 郭晓丹 薛俊明 任慧志 耿新华 熊绍珍

作者单位: 南开大学光电所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 137-140

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）