RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究
使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有”111”择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有”311”和”200”两个晶向上的掺优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大提高.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率既而具有更好的电学性能.由光电导谱测得的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV左右.
化学气相沉积 多晶硅薄膜 电学性能 薄膜太阳能电池 薄膜结构
艾斌 沈辉 班群 王晓晶 梁宗存 廖显伯
中科院广州能源研究所(广州)
国内会议
杭州
中文
133-136
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）