CuInSe2形成过程中In的损失研究
CuInSe<,2>(简称CIS)薄膜材料作为太阳电池的吸收层,以其高效、高稳定性、低价等特点,具有重要的应用前景.本文应用了DSC、XRD和ICAP研究了薄膜制备过程中In的损失问题.对多层膜结构样品升温实验发现,在156.61℃,In熔化时,有一部分In损失掉.而在350℃,CuInSe<,2>形成时,也有部分In损失掉.而在其它的温度范围内,In没有损失.由于In的含量对生成的CIS薄膜的光电特性及结构特性产生重要的影响,在应用金属预制层后硒化法制备CIS时,应特别注意工艺条件的调整.
In损失 CIS薄膜 薄膜制备
张加友 军事交通学院基础部 黄志荣 刘唯一 李风岩 周志强 孙云 李长健 孙钟林
南开大学光电所 南开大学化学学院
国内会议
杭州
中文
114-118
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）