关于多带隙半导体材料及太阳电池的分析

摘要：

多带隙半导体是一种理想的半导体材料,它具有两个或两个以上被很窄的能带(或杂质带)分开的带隙.各个带隙有不同的宽度,因此,这种半导体对不同波长的光都有很好的吸收.A.Luque等提出了以这种半导体所构成的多带隙太阳电池模型,M.Green估算其理想转换效率上限高达86.8﹪.本文对这种电池的模型进行了分析,并提出了实现多带隙半导体材料和多带隙太阳电池的途径.

关键词： 深能级杂质 光学损失 太阳电池 多带隙半导体 半导体材料

作者: 冯良桓 张静全 蔡亚平 李卫 武莉莉 黎兵 郑家贵 蔡伟

作者单位: 四川大学(四川成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 110-113

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）