ITO透明导电薄膜的低温直流磁控反应溅射

摘要：

该文利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶在未加热的聚脂膜、玻璃和硅衬底上制备了ＩＴＯ透明导电薄膜。研究了氧分压和沉积时间对薄膜结构和电光特性的影响。结果表明，不同衬底上的ＩＴＯ薄膜均出现晶格膨胀；在相同条件下聚脂膜上制备的ＩＴＯ薄膜电阻率远小于在玻璃和硅衬底上薄膜的电阻率，且对应低电阻率的反应窗口拓宽，其最低电阻率可达到４．２３×１０〈’－４〉Ω．ｃｍ。聚脂膜上可见光区（５５０ｎｍ）的透射率可达８０℅，而在玻璃上则可达８８℅以上。

关键词： 磁控溅射 导电薄膜 透明导电薄膜

作者: 陈猛 黄荣芳 闻立时

作者单位: 科学院金属研究所(沈阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 334～336

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）