直流磁控溅射法制备-BN膜
该研究用一种新的方法－－直流磁控溅射法制备了立方氮化硼膜（ｃ－ＢＮ）。因为它的沉积速率较高，未来工业化的潜力较大，这一技术对工业界具有很大意义。ｃ－ＢＮ膜的沉积过程由过去的射频系统改造而来。直流溅射的靶材选用了碳化硼，靶及试样台均接负极。研究人员将试样台放在一圆形电磁线圈的中央，即采用非平衡磁控模式。试验证明，试样台上的离子流密度及离子与中性粒子的比例是重要的试验参数。通过试验，在单晶硅片及钢衬底上沉积了几近单相的ｃ－ＢＮ膜，并用电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和红外谱（ＩＲ）对膜的成分和结构进行了分析。膜的硬度和摩擦系数测量表明，所制备的ｃ－ＢＮ膜具有出色的机械和摩擦学性能。
磁控溅射 薄膜 立方氮化硼膜 氮化硼
张平
机械工程学会表面工程研究所(北京)
国内会议
北京
中文
652～656
1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）