在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

摘要：

室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射，其强度与晶体质量有关。

关键词： 磁控溅射 ZnO薄膜 SI衬底

作者: 姚振钰 贺洪波 柴春林

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京) 中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 338～341

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）