磁控溅射ZAO薄膜工艺参数对其性能的影响
利用中频交流磁控溅射方法采用氧化锌铝(98﹪ZnO+2﹪Al<,2>O<,3>)陶瓷靶材制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,考察了基体温度和工作气压对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响,利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性,利用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明:沉积薄膜时的基体温度和工作气压对薄膜的结构、结晶状况、可见光透过率以及导电性有较大的影响.当基体温度为250℃,氩气分压为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10<”-4>Ω·cm,方块电阻为32Ω时,可见光(γ=550nm)透过率高达91.8﹪.
磁控溅射 陶瓷靶材 ZAO薄膜 电阻率 透过率 薄膜制备
付恩刚 庄大明 张弓 侯亚奇 吴敏生
清华大学(北京)
国内会议
佛山
中文
523-527
2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）