纳米Sb掺杂SnO<,2>(ATO)导电粉体合成与应用研究
本文对ATO材料的制备研究现状进行了综述,对存在的不足进行了分析,并对本实验室采用新的合成思路制备纳米ATO粉体作了简单描述.结果显示,采用新法合成大大缩短了合成周期,降低了合成成本,所得粉体具有粉体粒径小,比表面积高,分散性能优良的特点.由该粉体进行烧结实验,烧结温度明显降低.对ATO材料替代ITO作为透明导电材料的可行性进行了分析.
导电材料 纳米材料 导电粉体 铅 二氧化锡 掺杂
张建荣 高濂
中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室(上海)
国内会议
北京
中文
265-270
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)