La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体生长研究

摘要：

本文报道了用直拉法生长新型压电材料La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体进行的研究.采用化学计量比混合Ga<,2>O<,3>、La<,2>O<,3>及SiO<,2>粉末后直接熔融合成La<,3>Ga<,5>SiO<,14>多晶料;使用铂坩埚盛料,采用中频感应加热;用铂丝引出籽晶,研究适合La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体生长的温场及其相应的拉速和转速,生长出了φ50×140mm的晶体,测试了部分压电性能.

关键词： La3Ga5SiO14晶体 直拉法 压电性能 晶体生长 压电晶体材料

作者: 蒋春健 胡少勤 吴兆刚 李和新

作者单位: 四川压电与声光研究所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届电子元件学术年会

会议地点: 张家界

会议语种:中文

页码: 273-275

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）