MCM用氮化铝(AIN)共烧多层陶瓷基板的研究

摘要：

多芯片组件(MCM)作为一种新技术正在迅速发展,随着组装密度的不断提高,IC集成度的提高,MCM的功率密度越来越大.为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率MCM所用的多层基板应具有高的异热性.本研究采用AIN流延生瓷片与钨(W)高温共烧的方法,成功的制备出了高热导率的AIN多层陶瓷基板,完全满足高功率MCM的使用要求.

关键词： 氮化铝 多层基板 多芯片组件 多层布线技术 陶瓷基板 集成电路

作者: 崔嵩 黄岸兵 张浩

作者单位: 信息产业部电子第43研究所(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届电子元件学术年会

会议地点: 张家界

会议语种:中文

页码: 252-259

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）