半导体磁阻式光电传感薄膜材料及光电传感元件<”*>

摘要：

制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ<,p>=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻式光电传感器.

关键词： 锑化铟 磁阻元件 光电传感器 磁阻薄膜材料

作者: 黄钊洪 代贵华 黄志文 邝志锋

作者单位: 华南师范大学信息光电子科技学院量子电子学研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届电子元件学术年会

会议地点: 张家界

会议语种:中文

页码: 186-189

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）