质子在半导体器件中引起的单粒子效应研究

摘要：

本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,共用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.

关键词： 单粒子效应 质子 半导体器件

作者: 刘杰 侯明东 张庆祥 王志光 孙友梅 朱智勇 金运范

作者单位: 中国科学院近代物理研究所(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十五次学术会议

会议地点: 九华山

会议语种:中文

页码: 284-289

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）