高半胱氨酸SAM膜电极的制备及其表征

摘要：

高半胱氨酸能否在多晶金盘电极上形成稳定的SAM膜取决于金电极的预处理.本文介绍了高半胱氨酸SAM膜电极的制备,并对其进行了电化学表征.

关键词： 修饰电极 高半胱氨酸 金电极 伏安法

作者: 郁章玉 王慧云 孙勤枢 王宁 王洪恩

作者单位: 曲阜师范大学 济宁医学院(山东)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国电分析化学学术会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 255-256

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）