使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题

摘要：

背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤.通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性.背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响.因此,使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要.

关键词： 半导体集成电路 砷化镓 背面通孔 电镜观察 制造工艺 扫描电镜

作者: 刘立浩 杨瑞霞 王同祥 张雄文 周瑞

作者单位: 河北工业大学信息学院(天津) 电子十三所(河北石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子显微学会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 788-789

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）