(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察

摘要：

本文应用Philips CM12及Philips CM200-FEG透射电子显微镜,利用衍射、SAED、HRTEM对在(111)Si上外延生长的六方GaN进行了观察分析.

关键词： 半导体材料 外延生长 氮化镓薄膜 电镜观察

作者: 胡桂青 孔翔 王乙潜 万里 段晓峰 陆沅 刘祥林

作者单位: 中国科学院北京电子显微镜实验室,中国科学院物理所(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子显微学会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 699-700

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）