掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响

摘要：

本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响.结果证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的.

关键词： 膜材料 纳米Zn-O薄膜 电学特性 扫描俄歇探针 硼掺杂 磷掺杂

作者: 王文青 宋淑芳 艾家和 韩晓英 赵金茹 许宏飞 史利军

作者单位: 中国兵器工业第五二研究所(内蒙古包头) 中国科学院半导体研究所(北京) 北京科技大学(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子显微学会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 659-660

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）