单晶硅片的弹性变形法抛光新技术

摘要：

本文基于弹性力学的接触理论,使用大尺寸环板中心负载和平面压头边界悬伸变形方式,提出了单晶硅片抛光的新工艺.研究的结果表明,利用该技术可使半导体晶片在抛光过程中获得均匀一致的材料去除,并且在给定的实验条件下使平面度达0.25~0.33μm/φ76mm,表面粗糙度Ra值分布不大于5﹪.

关键词： 超精密加工 单晶硅片 抛光技术 弹性变形法

作者: 孙军 王军 杨信伟 吕玉山

作者单位: 沈阳建筑工程学院(沈阳) 东北大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国机械工程学会年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1096-1099

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）