碳纳米管阴极场发射特性研究

摘要：

制备了碳纳米管阴极,测试表明具有良好的场发射性能;建立了碳纳米管场发射的理论模型,将组成阵列的碳纳米管(CNTs)的半径看成是符合高斯分布,将单根的CNTs看成是准一维的,求出了CNTs的发射电流与阳极电压之间的关系,分析了CNTs的拓扑结构对发射特性的影响,在此基础上计算了碳纳米管阵列的发射特性;理论计算的结果同实验测试的结合符合得较好.

关键词： 碳纳米管 场致发射 色散关系 增强因子

作者: 刘兴辉 朱长纯 李玉魁

作者单位: 西安交通大学电信学院(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第三届纳米材料和技术应用会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 716-719

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）