氩离子注入单晶Si表面微观摩擦磨损行为研究

摘要：

利用氩离子注入技术改善单晶Si表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后,Si单晶在线性加载条件下的磨损机理.研究结果表明,经过1×10<”17>Ar<”+>/cm<”2>剂量的氩离子注入后,单晶Si表面的抗磨损性能有了明显的提高.氩粒子的注入改善了单晶Si表面的韧性,提高了摩擦磨损性能.

关键词： 离子注入 表面改性 摩擦磨损 单晶硅

作者: 孙蓉 河南大学特种功能材料重点实验室(河南开封) 徐洮 刘惠文 张治军 薛群基

作者单位: 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室(甘肃兰州) 河南大学特种功能材料重点实验室(河南开封)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第三届纳米材料和技术应用会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 634-636

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）