高能质子引起器件单粒子效应的研究方法

摘要：

本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.

关键词： 单粒子效应 质子 半导体器件 卫星 实验测量 核反应分析

作者: 刘杰 侯明东 张庆祥 甑红楼 孙友梅 刘昌龙 王志光 朱智勇 金运范

作者单位: 中国科学院近代物理研究所(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国空间科学学会实践五号卫星空间探测与试验成果学术会议

会议地点: 武夷山

会议语种:中文

页码: 156-160

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）