基于ZnO纳米晶薄膜的紫外半导体激光器件的材料设计
本文对阐述了ZnO纳米晶薄膜的激光分子束外延(L-MBE)制备工艺,研究分析了纳米晶粒对激子的量子限域效应以及薄膜的光泵浦紫外激光发射机理.在此基础之上提出了一个基于ZnO纳米晶薄膜作为有源层的双异质结(DH)紫外半导体激光器件基本结构,由于室温下激子效应的存在,将在不增加DH激光器器件工艺难度的同时降低其激励阈值.最后根据激光器工作原理提出了各层材料的设计依据.
ZnO纳米晶薄膜 半导体激光器件 半导体材料
贺永宁 朱长纯 刘卫华 张景文
西安交通大学电信学院电子系
国内会议
南京
中文
591-594
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）