低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜

摘要：

极大规模集成电路的发展对低介电常数绝缘介质薄膜提出了需求.本文介绍了低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜的制备、结构和性能表征以及在ULSI中的应用前景.

关键词： 纳米多孔氧化硅薄膜 绝缘介质薄膜 低介电常数 结构表征 集成电路

作者: 冯坚 张长瑞 王娟 杨大祥

作者单位: 国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室(长沙)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第三届纳米材料和技术应用会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 583-586

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）