分子电性距边连接指数用于金属卤化物的结构表达和性质预测
(0) 本实验基于化合物分子的拓扑图结构建立的分子电性距边连接性指数,在对其机物的定量构效关系(QSAR/QSPR)研究中,具有高度选择性、相关性、稳定性和良好的预测能力.本文尝试将其扩展到无机物:以分子电性距边连接性指数(∧,Imedc)实现对金属卤代化合物的结构性质的表达式 征及相关研究.金属卤代化合物的分子电性距边连接性指数对所研究的金属卤代化合物的选择性为100﹪,即不同化合物分子具有不同电性距边连接性指数.运用多元线回归(MLR)方法,以此分子电性距边连接性指数建立20个碱金属卤代化合物的晶格能(U)和34个过渡族金属卤代化合物的标准生成焓(△f H<”θ>)结构性质相关模型,对于碱金属卤代化合物的晶格能(U)相关模型的相关系数为R<,MX>=0.9732(n=20),对于过渡族金属卤代化合物的标准生成焓(△f H<”θ>)R<,MX>=0.8907(n=34),取得令人满意的结果.
分子电性距边连接性指数 无机物 结构表达 晶格能 标准生成焓 多元线性回归
胡力玫 重庆师范学院化学系(重庆) 李波 印成 廖春阳 周丽平 仇亮加
重庆大学化学化工学院(重庆)
国内会议
重庆
中文
66-67
2002-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）