In<,2>O<,3>粉体的气敏性能研究

摘要：

本文在纳米三氧化铟(In<,3>O)材料中掺入1﹪Pdcl<,2>,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.

关键词： 气敏元件 In<,2>O<,3> 纳米材料 TMA 三氧化铟

作者: 程知萱 潘庆谊 董晓雯 李琰

作者单位: 上海大学理学院化学系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会2002年学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 225-226

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）