氧化铟半导体薄膜厚度控制的支持向量回归模型

摘要：

本文将数据信息采掘技术用于纳米In<,2>O<,3>成膜问题研究,试图通过调节可控参数,控制氧化铟半导体薄膜的成膜厚度及薄膜的综合性能.

关键词： 数据信息采掘 支持向量回归 氧化铟薄膜 成膜厚度控制

作者: 包新华 潘庆谊 陈念贻

作者单位: 上海大学化学系计算机化学研究室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会2002年学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 215-216

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）