Si<,2>C<”+><,m-2>、Si<,2>C<”-><,m-2>团簇的几何结构和电子结构的研究
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-311G<”*>方法,对Si<,2>C<”+><,m-2>和Si<,2>C<”-><,m-2>(m=4~14)团簇的几何构型、电子结构等性质进行了研究.结果表明,Si<,2>C<”+><,m-2>和Si<,2>C<”-><,m-2>(m=4~14)团簇的基态均为线状结构,Si原子倾向于在C链端部成键:对于Si<,2>C<”x><,m-2>(x=0,-1)团族,m为奇数的Si<,2>C<,m-2>离子团簇比m为偶数的更为稳定,对于Si<,2>C<”+><,m-2>团簇,在m≤11范围内,m等于偶数时团簇较稳定;而在12≤m≤14范围内,m=11的团簇较稳定.
团簇 密度泛函理论 量子化学 电子结构 化学成键 几何构型
姜振益 许小红 武海顺 张富强 金志浩
西安交通大学材料学院(西安),山西师范大学化学系(临汾) 山西师范大学化学系(临汾) 西安交通大学材料学院(西安)
国内会议
长春
中文
141-145
2002-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）