In<,2>O<,3>-SnO<,2>(ITO)之蒸气化学探讨

摘要：

In和Sn的熔点分别为430和505K,加热熔解后,In-Sn气化为In-In20及Sn-SnO等气体.在气相中,经氧气直接氧化成In2O3-SnO2等氧化物,附着在玻璃基材上,形成ITO薄膜.本研究,透过热力学之计算和分析,了解到In和Sn金属,藉由控制温度和氧压,改变沈积于薄膜中In<,2>O<,3>与SnO<,2>的组成,寻出最佳ITO薄膜及其制程,如穿透率及导电度.

关键词： 氧化物 ITO 穿透率 导电度

作者: 陈适范 张旭民 刘祥钧

作者单位: 国立台北科技大学材料及资源工程研究所(台北)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002全国冶金物理化学学术会议

会议地点: 鞍山

会议语种:中文

页码: 318-320

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）