单晶硅氧化动力学及其显微结构研究

摘要：

本文研究了单晶硅氧化动力学,证实其控速环节可分为三段,即:前期为界面化学反应控速;中期为界面化学反应与扩散混合控速;后期为扩散控速.显微结构分析表明;经表面活化处理的单晶硅,其氧化膜结构致密;氧化初期,其形貌呈雪花状,并可见形核中心,界面区内发现大量层错,随后减少,出现位错.氧化膜微观结构分析和分形维数分析结果,进一步证实了单晶硅的氧化动力学三段控速机理.

关键词： 单晶硅 氧化动力学 显微结构 分形

作者: 李文超 李钒 丁保华

作者单位: 北京科技大学(北京) 中国科学院过程工程研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002全国冶金物理化学学术会议

会议地点: 鞍山

会议语种:中文

页码: 253-256

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）