Ni金属诱导晶化非晶(a-Si:H)薄膜

摘要：

在本文中,作者采用磁控溅射法在a-Si:H薄膜上溅射-薄层金属Ni,然后在500℃下退火晶化,获得多晶硅薄膜,并观察到横向晶化.

关键词： 多晶硅薄膜晶体管 金属诱导晶化 多晶硅薄膜 磁控溅射法

作者: 黄金英 付国柱 张玉 陈国军 齐晓薇 荆海

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(吉林长春) 吉林省电子集团光电子研究院北方液晶工程研究开发中心(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002中国平板显示学术会议

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 95-96

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）