在Si(111)上电沉积Cu/Co超晶格多层膜及其巨磁电阻效应

摘要：

在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co超晶格多层膜,通过扫描电镜及X射线衍射对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(λ)、铜层厚度的关系.λ较大时,没有观察到明显的GMR效应,当小于100nm时,GMR效应随入减小而增大,而当λ小于8nm时,GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡.

关键词： Cu/Co超晶格多层膜 巨磁电阻 电沉积 单晶硅

作者: 姚素薇 赵瑾 张卫国 董大为

作者单位: 天津大学化工学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国电镀与精饰学术年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 203-204

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）