纳米结构Cu<,3>N薄膜的直流磁控溅射法制备及其特性
采用柱状靶多弧直流磁控溅射法,室温下在玻璃衬底上制备了Cu<,3>N薄膜.用X射线衍射方法研究了不同氮气分压对Cu<,3>N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响.XRD测试结果显示薄膜由准ReO<,3>结构的Cu<,3>N纳米晶构成.氮气分压(N<,2>/N<,2>+Ar)较低时,薄膜优先沿”111”晶向生长,随着氮气分压的增加,Cu<,3>N薄膜由”111”晶向的优先生长逐渐转向”100”晶向的优先生长.这种优先生长可以认为是由于氮气压不同导致的铜的氮化率变化引起的.用AFM对薄膜表面形貌进行了表征,膜表面比较光滑.用XPS进行了薄膜表面的成分分析.Cu<,3>N薄膜表面铜元素同时以+1价和+2价存在.Cu<,3>N的Cu2p<,3/2>、Cu2p<,1/2>及N1s峰分别位于932.7eV、952.7eV和399.9eV,Cu<,2>p原子自旋-轨道耦合分裂能量间距为20eV.
Cu<,3>N薄膜 直流磁控溅射 薄膜材料 制备方法 晶体结构
吴志国 张伟伟 白利峰 陈强 吴现成 阎鹏勋
兰州大学等离子体与金属材料研究所(兰州)
国内会议
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2016-2020
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）