掺杂nc-Si:H薄膜应力特性的研究
首次全面测试了采用PECVD生长的掺杂(硼、磷)nc-Si:H薄膜的残余应力.利用XRD、RAMAN、HRTEM研究了掺杂nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的残余应力.结果表明:利用PECVD通过控制工艺参数制备的掺杂nc-Si:H薄膜具有晶态与非晶态两种成分.晶态部分由3~8nm金刚石结构的纳米硅晶粒(nc-Si)组成,薄膜的晶态率约为40﹪~60﹪;晶粒间界部分是较为无序的Si:H<,n>非晶过渡区.nc-Si:H薄膜的残余应力的测试与分析结果表明:掺杂nc-Si:H薄膜的残余应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺磷浓度的提高而增加;在一定的功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373~523K之间,掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随温度升高而增加;薄膜的压应力随氢稀释比的变化而变化.
nc-Si:H薄膜 掺杂 残余应力 半导体材料 应力特性
韦文生 北京航空航天大学宇航学院材光电技术研究所(北京) 王天民 张春熹 李国华 韩和相 丁琨
北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心(北京) 北京航空航天大学宇航学院材光电技术研究所(北京) 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室(北京)
国内会议
北京
中文
1947-1951
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）