MOCVD法制备高定向ZnO晶须
ZnO是一种具有优良的压电、光电、透明导电、气敏、压敏等性质的材料.采用大气开放式的MOCVD技术,在不需要真空的条件下以Zn(C<,5>H<,7>O<,2>)<,2>为原料在玻璃基片上制备出现了高密布高定向的ZnO晶须.使用扫描电子显微镜对晶须形貌进行观察发现,晶须呈现出高密度规则排列,生长密度约为 1.3×10<”6>根/mm<”2>,并且垂直于基片向上生长.单根晶须直径为1~3μm,横截面为六角形.采用X射线衍射仪进行了物相分析和晶须取向的研究,确定该晶须为六方纤锌矿结构ZnO,垂直基片沿c轴定向生长,测得的衍射峰半高宽FWHM只有0.34°.
晶须 ZnO 晶体取向 半导体材料 金属化学气相沉积法
袁洪涛 张跃
北京航空航天大学材料学院(北京)
国内会议
北京
中文
1939-1942
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）