高阻值Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶体的退火处理

摘要：

采用Cd<,1-x>Zn<,x>作退火源,对Bridgman法生长获得的Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶片进行了退火处理.测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提高,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te的值.从缺陷和杂质的角度,本文分析了晶片性能优化的原因.

关键词： Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te 结晶质量 红外透过率 电阻率 晶体材料 半导体材料 退火处理

作者: 李国强 介万奇 谷智

作者单位: 西北工业大学凝固技术国家重点实验室(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1934-1938

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）