采用超薄AlN润湿层在Si(111)衬底上生长GaN的特性研究
通过采用超薄的AlN润湿层和低温GaN成核层作为复合缓冲层,我们用金属有机物气相沉积(MOCVD)设备在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN薄膜.实验结果GaN(0002)衍射峰的X射线摇摆曲线(XRC)的半高宽(FWHM)为15arcmin.透射电镜(TEM)观察其位错密度约为10<”9>/cm<”2>左右,室温光致发光谱(PL)中GaN带边跃迁峰的半高宽为47meV.这些实验结果表明在Si衬底上生长的GaN的晶体质量和发光特性已经可以和在蓝宝石上生长的GaN相比较了.此项研究表明,通过使用合适的润湿层和低温成核层,即使是在大失配的情况下,高质量的异质外延也是可以得到的.
金属有机物气相沉积 润湿层 半导体材料 GaN薄膜
陆沅 刘祥林 陆大成 袁海荣 陈振 王晓晖 王占国
中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室(北京)
国内会议
北京
中文
1922-1925
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）