气相激光化学掺杂PtSi/p<”+>/p-Si薄膜的界面结构与肖特基特性

在中波红外波段(3~5μm),PtSi/Si肖特基势垒探测器在大规模焦平面阵列中得到迅速发展,但量子效率是制约其发展的关键因素之一.降低PtSi/p-Si的肖特基势垒高度,可以拓展PtSi/p-Si红外探测器的截止波长,并提高量子效率.通过气相激光化学掺杂技术在PtSi/Si界面上引入超浅结,对PtSi/p<”+>/p-Si薄膜的界面成分分布及肖特基特性研究表明,既避免了隧道效应,又利用镜像力电场降低了有效势垒高度,成功地将PtSi/Si肖特基势垒高度降低到0.13eV,有效地延长了PtSi探测器响应截止波长,并提高其量子效率.
激光化学掺杂 界面结构 肖特基特性 PtSi薄膜
李美成 赵连城 陈学康
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(哈尔滨) 兰州物理研究所(兰州)
国内会议
北京
中文
1908-1911
2002-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)