斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响
运用分子动力学方法建立了溅射沉积铜薄膜外延生长的三维模型,铜原子间作用势函数采用Finnis-Sinclair型原子镶嵌法(EAM)势函数;沉积原子入射角分布采用一般金属溅射中常见的余弦分布,就入射角对薄膜结构的影响进行了模拟实验研究.结果表明:斜入射的引入都使薄膜沉积相对于简单垂直入射时表面粗糙度增大,同时堆垛密度减小,且两种入射条件下堆垛密度都随沉积层高度增加而减小,反映出典型的原子自阴影效应作用的结果;斜入射的引入还使膜内空位和孪晶缺陷增多.对斜入射和垂直入射沉积的单原子的动能、势能及其轨迹进行了跟踪分析和比较,并结合上述结果进行了讨论.
入射角 分子动力学 铜薄膜 物理气相沉积 薄膜结构
周耐根 周浪 朱圣龙
南昌大学化学与材料科学学院(南昌) 中国科学院金属研究所腐蚀与防护国家重点实验室(沈阳)
国内会议
北京
中文
1880-1883
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）