半导体材料的平面波赝势方法计算设计

摘要：

采用平面波赝势方法和扰动近似计算对所有可能的具有闪锌矿和纤锌矿结构的二元Ⅲ-Ⅴ与Ⅳ族半导体材料的原子结构、力学、电子与声子振动性质进行了系统研究.计算结果与已知材料的有关实验结果高精度符合,并对潜在新材料的性质进行了预测.

关键词： 平面波赝势 固体能带 声子色散 半导体材料 计算设计

作者: 王绍青 叶恒强

作者单位: 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室(沈阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1850-1854

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）