(AlP)<,n>/(AlN)<,n>及(AlAs)<,n>/(AlN)<,n>应变短周期超晶格的第一性原理计算

摘要：

我们使用基于混合基表示的第一原理赝势法研究了(AlP)<,n>/(AlN)<,n>和(AlAs)<,n>/(AlN)<,n>(n=1~5)应变短周期超晶格材料.其中假设(AlP)<,n>/(AlN)<,n>短周期超晶格材料外延生长在GaAs的(001)面上,而(AlAs)<,n>/(AlN)<,n>短周期超晶格材料外延生长在AlAs的(001)面上.通过计算发现,这两种超晶格材料,对所有的n,在Γ点都出现直接带隙.

关键词： 超晶格材料 直接带隙 第一原理计算

作者: 李惠萍 黄美纯 朱梓忠

作者单位: 厦门大学物理系(厦门)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1834-1838

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）