Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)/BN层状陶瓷材料的高温蠕变行为研究
采用轧膜—浸涂—热压烧结方法制备了Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)/BN层状陶瓷材料.在空气气氛中1100~1300℃温度范围内用三点弯曲法考查了其蠕变行为.结果表明,Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)/BN层状材料的抗高温蠕变性能与Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)块体材料相当.良好的抗蠕变性能在于BN界面层的引入破坏了控制蠕变变形玻璃相的完整性和连续性.另一方面,BN界面层在烧结过程中可以吸收基体层中的液相,起到净化晶界的作用.在1150~1200℃左右,Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)块体材料观察到一明显的蠕变”硬化”现象,这可能是由晶界玻璃相析晶造成的.
氮化硅 层状材料 BN界面层 层状陶瓷材料 蠕变性能
赵世柯 黄勇 汪长安 李翠伟 昝青峰
清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
国内会议
北京
中文
1419-1423
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）