无弱界面水基流延SiC层状复合材料的界面研究

摘要：

用透射电子显微镜(TEM)对水基流延方法制备的碳化硅(SiC)层状复合材料的界面进行研究.发现在三叉晶界处和某些SiC晶界上存在YAlO<,3>第二相,大部分SiC晶界有非晶膜,且非晶膜富Al而无Y.用能谱对晶界偏析进行定量研究,表明Al在晶界处的偏析量为5.7±2.正是由于Al在晶界处的偏析导致YAlO<,3>第二相的形成.最后对该材料的增韧机理进行了讨论.

关键词： 碳化硅 层状复合材料 增韧机理 界面特征

作者: 黄荣 顾辉 张景贤 江东亮

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1381-1383

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）