无压浸渗法制备高性能SiC/Al电子封装复合材料
为满足一系列国家重点工程的需求,本文采用熔铝无压浸渗低成本化新技术,制备轻质、低膨胀、高导热的SiC/Al电子封装复合材料,并对其基本热物理性能指标进行实测.此外,还对该材料进行了典型电子封装元件所必需的机械加工试验及其气密性试验.结果表明,本文研制的SiC/Al电子封装复合材料,具有极优的热物理性能;其线膨胀系数同传统的W/Cu封装合金相当,与Kovar合金接近,可与BeO、Al<,2>O<,3>等陶瓷基板实现良好的膨胀匹配;其热导率则比Kovar高出十倍以上,也显著优于W/Cu;更为突出的是该材料的轻量化效果,它的密度比W/Cu及Kovar合金分别低82﹪和64﹪之多.另外,抽检结果证实,用无压浸渗法制备的SiC/Al复合材料加工成的小批量典型电子封装元件,能够根据国军标通过氦质谱检测的产品合格率高达95﹪.
无压浸渗 碳化硅 铝基复合材料 电子封装 制备方法
崔岩
北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室(北京)
国内会议
北京
中文
1080-1083
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）