CN<,x>(H)薄膜的阴极电化学沉积及热处理
本文用Si(100)基片做衬底,1:1的三聚氯氰和三聚氰胺的乙腈饱和溶液为电解液,在常温常压下用电化学的方法沉积了CN<,x>薄膜,并在500℃、N<,2>气氛下对其做了热处理.用X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CN<,x>薄膜进行了测试和分析.XPS结果表明沉积的CN<,x>薄膜的w(N)/w(C)为0.9左右,氮是以SP<”2>和SP<”3>杂化形式与碳成键.FTIR表明碳和氮主要以C—N、C—C、C═C和C═N形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.XRD测试显示,热处理后的CN<,x>薄膜中有类石墨相的C<,3>N<,4>晶体的存在.
电化学沉积 氮化碳 CN<,x>薄膜 热处理 薄膜材料
李超 郑州轻工业学院化学工程系(郑州) 曹传宝 吕强 张家涛 项顼 朱鹤孙
北京理工大学材料科学研究中心(北京)
国内会议
北京
中文
530-534
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）